10月18日下午，应物理与电子工程学院、甘肃省原子分子物理与功能材料重点实验室邀请，北京大学秦国刚院士来我院进行学术交流，并做了两场学术报告，题目分别为“钙钛矿和叠层太阳电池”和“外激励下半导体中杂质原子室温扩散与掺杂”，报告会在9号楼409报告厅举行，由物理与电子工程学院张登红院长主持。

秦国刚院士从钙钛矿太阳电池工作原理、钙钛矿太阳电池优点、两叠层太阳电池、两太阳电池叠层的光路和电路、钙钛矿/ c-Si两叠层太阳电池、三叠层太阳电池创新点、尤其是针对文献只讨论五种连接中的一、两种，主要讨论三种直接太阳电池叠层。而秦院士研究组讨论了五种，并比较其优劣。研究了两种直接太阳电池和Si太阳电池叠层。并且已经在理论研究的基础上开展了实验研究。

在第二场报告中，秦国刚院士主要介绍了他们研究小组的独创性工作：外激励下半导体中杂质原子室温扩散与掺杂，这种室温扩散现象可用于室温掺杂，适用于高温不宜的材料和部分完成的器件，对半导体器件工艺的发展有重要指导意义。

我院一百多名师生参加了本次学术报告会，报告期间就各自感兴趣的问题与秦国刚院士进行了热烈的讨论。

本次学术交流期间，秦国刚院士参观了甘肃省原子分子物理与功能材料重点实验室的“纳米功能材料实验室”和“原子光谱实验室”，并就实验室的相关进展、发展方向等进行了交流和讨论。报告会后，我院领导与秦国刚院士进行了深入交流，就学院的学科建设、研究生培养以及双方进一步的学术交流和研究合作等进行了细致讨论。

报告人简介

秦国刚，1934年3月19日出生于南京。半导体材料、器件和物理学家，物理学科教育家。1956年毕业于北京大学物理系。此后，师从国际著名固体物理学家黄昆教授做研究生，研究方向为半导体物理，1961年2月毕业。2001年当选中国科学院院士（信息技术科学学部）。现任北京大学物理学院和人工微结构与介观物理国家重点实验室博雅讲席教授。

研究领域：钙钛矿等新型半导体太阳电池，外激励下原子室温扩散，等离子体室温扩散掺杂，硅基和石墨烯基有机电致发光，低维纳米化合物半导体材料和原型器件，硅/化合物半导体混合激光，半导体中杂质、缺陷和深能级，硅和砷化镓中的氢，金属与半导体接触，纳米硅（锗）／氧（氮）化硅体系（包括多孔硅）发光，氢化非晶硅光致退化机制等。

三十多年来，先后主持国家自然科学基金委数理、信息和工程与材料三个学部的21项基金，并已完成其中19项。合作发表SCI学术论文二百七十余篇。秦国刚院士作为第一完成人所获集体奖项：1987年国家教委科技进步奖一等奖，2005年北京市科学技术奖一等奖，2007年国家自然科学奖二等奖。 个人所获奖项：2001年中国物理学会2000－2001年度叶企荪奖。2008年何梁何利奖物理学奖。2014年北京大学国华杰出学者奖。他先后培养博士、硕士和博士后六十余名。其多项研究成果受到国际同行高度评价，并被广泛引用。